大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRA小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段M （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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