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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(d除螨皂可以天天用吗，除螨皂对痘痘管用吗e)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NA除螨皂可以天天用吗，除螨皂对痘痘管用吗ND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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