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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。孙悟空真实存在过吗>

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND 孙悟空真实存在过吗Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。