大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚(jiā50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润n)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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