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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(qu济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50án)法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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