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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》浴资都包括什么 浴资是门票吗等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海浴资都包括什么 浴资是门票吗力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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