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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的write的过去分词怎么用，write的过去分词英语结构转(zhuǎnwrite的过去分词怎么用，write的过去分词英语)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(write的过去分词怎么用，write的过去分词英语shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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