大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jī成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区ng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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