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台积电是做什么的,台湾台积电是什么意思

台积电是做什么的,台湾台积电是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安台积电是做什么的,台湾台积电是什么意思全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就分析,如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND F台积电是做什么的,台湾台积电是什么意思lash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单,设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù),看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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