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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.大龄剩男真的不能嫁吗，男人35岁没结婚基本上完了52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(大龄剩男真的不能嫁吗，男人35岁没结婚基本上完了hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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