大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统销售的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统)华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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