大(dà)家好，来(lái)看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.马后炮是什么意思比喻什么人，马后炮是什么意思比喻什么76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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