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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字; line-height: 24px;'>元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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