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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要一澳币兑换多少人民币汇率，一澳币换多少人民币？求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 D一澳币兑换多少人民币汇率，一澳币换多少人民币？RAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品<一澳币兑换多少人民币汇率，一澳币换多少人民币？/p>

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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