大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中府试院试乡试会试殿试顺序，院试乡试会试殿试顺序记忆口诀(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)府试院试乡试会试殿试顺序，院试乡试会试殿试顺序记忆口诀办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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