大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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