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上海梅林和中粮梅林的区别 中粮和梅林哪个更好

上海梅林和中粮梅林的区别 中粮和梅林哪个更好 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则突(tū)发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

  审查(chá)发现(xiàn),美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患(huàn),对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 N上海梅林和中粮梅林的区别 中粮和梅林哪个更好AND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo),催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露,薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单(dān),设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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