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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 麻雀养大了认主吗，麻雀智商相当于几岁2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)麻雀养大了认主吗，麻雀智商相当于几岁签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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