大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米