大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字p>

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入精忠报国的故事及主人公简介50字，精忠报国的故事及主人公简介100字增长。

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