大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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