大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shě苏修是什么意思，苏修是什么意思n)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(s苏修是什么意思，苏修是什么意思hì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(g苏修是什么意思，苏修是什么意思ào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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