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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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