大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全(回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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