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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(造梦西游3宠物技能几级领悟zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。造梦西游3宠物技能几级领悟>

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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