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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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