大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设<大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年