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加湿器必须加纯净水吗,加湿器用纯净水太贵怎么办水 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信网发(fā)文称,为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(加湿器必须加纯净水吗,加湿器用纯净水太贵怎么办水xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jī加湿器必须加纯净水吗,加湿器用纯净水太贵怎么办水ng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单,设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积)等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升,以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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